在半导体中，制造实际的势阱可以通过将一种半导体材料（例如InGaAs）的“阱”层夹在另一种半导体材料（例如InP）的两个“势垒”层之间。电子在“阱”材料中具有较低的能量，并在与“势垒”材料的界面处看到一些势垒高度Vo。这种结构广泛应用于光纤通信等激光器中，被称为“量子阱”。() GaAs_QW计算GaAs单量子阱中具有恒定有效质量与不同阱宽的能级，并绘制了对应特征函数。 () 大卫·AB·米勒，《科学家和工程师的量子力学》，剑桥博士生，享受！